此前傳出三星GALAXY S7已經(jīng)開始測(cè)試的消息，并且有望再次重啟雙處理器平臺(tái)策略，至于其他可能裝載的新技術(shù)則沒有更多的消息。而現(xiàn)在，根據(jù)網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上披露的消息稱，UFS2.1將在今年下半年量產(chǎn)，預(yù)計(jì)三星GALAXY S7將會(huì)首先搭載這項(xiàng)新技術(shù)，并且明年的三星智能手機(jī)將全面引入Type-C以及USB PD標(biāo)準(zhǔn)，這意味著未來的GALAXY S7將擁有更快的充電速度。

支持UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)

按照網(wǎng)友@i冰宇宙在微博上的說法，2016年UFS2.0和emmc 5.1將在旗艦機(jī)型中得到普及，但三星GALAXY S7在閃存技術(shù)方面應(yīng)該依然會(huì)快人一步。由于UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存將在今年下半年量產(chǎn)，因此預(yù)計(jì)將會(huì)首先使用到三星GALAXY S7上。

不過，目前還沒有UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)閃存技術(shù)的更多信息被曝光，但相信應(yīng)該比現(xiàn)在應(yīng)用到三星GALAXY S6等機(jī)型的UFS2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存技術(shù)擁有更快的速度和更低的功耗，而這也意味著未來的GALAXY S7將會(huì)帶來更出色的性能表現(xiàn)和更快的手機(jī)讀取速度。

充電速度更快

同時(shí)針對(duì)當(dāng)前三星GALAXY 系列旗艦機(jī)型尚未引入Type-C的狀況，在未來的三星GALAXY S7則會(huì)得到改進(jìn)，并且還將支持全新USB PD標(biāo)準(zhǔn)，這不僅意味著該機(jī)的USB連接線將具備正反兩面皆可隨意插入的特色，而且將帶來更快的充電速度，甚至還能夠兼容其他數(shù)碼設(shè)備。

除此之外，@i冰宇宙還在微博中提到，年底的時(shí)候三星5.2英寸4K顯示屏將會(huì)量產(chǎn)，因此在索尼已經(jīng)率先發(fā)布4K顯示屏智能手機(jī)的情況下，三星GALAXY S7很有可能會(huì)裝載這塊5.2英寸4K分辨率Super AMOLED觸控屏，這也與此前的傳聞比較吻合。

MWC2016發(fā)布

而根據(jù)此前泄露的信息顯示，三星GALAXY S7的內(nèi)部開發(fā)代號(hào)為 “Jungfrau”，不僅將會(huì)采用Ultra HD 4K顯示屏，而且隨著三星全新1600萬像素CMOS傳感器的推出，或許意味著該機(jī)還將在攝像頭方面得到升級(jí)，并借助該傳感器非常纖薄的特色，有望改善攝像頭凸起的狀況。

同時(shí)此前微博上曝光的疑似三星內(nèi)部的Android M 升級(jí)計(jì)劃還顯示，三星GALAXY S7正在測(cè)試驍龍820處理器，并且韓國(guó)媒體也披露稱，三星正在GALAXY S7上輪流測(cè)試驍龍820處理器和三星自主架構(gòu)芯片(Exynos M1)兩款處理器，以便最終確定到底采用那個(gè)方案。因此，結(jié)合驍龍820處理器在明年第一季出貨的傳聞，很大程度上也預(yù)示著三星GALAXY S7將會(huì)在明年的移動(dòng)世界大會(huì)(MWC)上發(fā)布。